财联社9月30日讯（编辑 李莹）AI需求推动存储厂商加码HBM，传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成，市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。
据媒体当地时间9月29日报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo当天表示，预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，目前该比例约为20%。
Kim Taewoo称，HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。
半导体市场研究机构TrendForce此前预测显示，2027年底，全球三大HBM供应商的HBM晶圆投入预计约占DRAM晶圆总投入的30%，但按存储容量计，仅能贡献约13%的DRAM总供应量。
三星已在加快HBM布局。
据媒体当地时间9月20日报道，三星已于今年2月开始量产出货HBM4，5月向包括英伟达在内的客户提供了12层HBM4E样品。
报道还称，业内预计三星HBM月均晶圆投入量将由今年约18万片增至明年约25万片，增幅近四成。
预计涨价持续
TrendForce同日（9月29日）表示，AI服务器需求持续，HBM与通用DRAM仍将分享有限的先进制程产能，2027年存储供应将维持偏紧。
TrendForce同时上调了2027年HBM价格预期，预计混合平均售价将同比上涨121%，主要考虑供应持续受限、高价HBM4占比提升，以及HBM4E在2027年下半年逐步放量。
该机构还指出，受HBM供应有限和系统成本快速上升影响，GPU和ASIC厂商正考虑降低单颗芯片的HBM搭载容量，单个堆栈成本更低的8层HBM预计将成为2027年多家厂商优先评估的方案。
由于每个HBM堆栈都需要一颗基础裸片，其成本不会随DRAM层数减少而等比下降，TrendForce预计2027年8层HBM每Gb的售价将比12层产品高约10%至20%。
TrendForce于8月25日曾指出，服务器DRAM合约价在2025年下半年累计上涨64%，预计2026年全年累计涨幅约270%。
